CC (Carrier Concentration)

반도체에 운반자는 2개가 있다.

electron (in conduction band)

hole (in valence band)

 

이 운반자들의 수가 거의 같다면 진성반도체(Intrinsic semiconductor)라고 한다.

 

electron이 더 많은 경우 donor / hole이 더 많은 경우 accepter

donor가 많다면 n형 반도체(negative) / hole이 많다면 p형 반도체(positive)

 

 

n = 단위 체적당 conduction band에 있는 전자의 개수

n(E) = 단위 에너지 길이당 전자의 개수

g(E) = 운반자가 들어갈 수 있는 공간의 수

 f(E) = 공간에 대한 전자의 유무 확율

g(E) * f(E)

p = 단위 체적당 valence band에 있는 hole의 개수

 

 

ni = 진성반도체 운반자 농도 (ni = n = p / Eg = Emidgap)

Nc = 전자가 들어갈 수 있는 빈방의 개수 (n = 실제로 들어가 있는 전자 수)

Nv = hole이 머무를 수 있는 빈방의 총 개수 (p = 실제로 들어가 있는 hole 수)

 

Efi (Intrinsic Fermi Level) = 전자가 채워질 확률이 정확히 50%가 되는 지점

 

반도체 도핑시 n, p